| 公開(公告)號 | CN1895258A |
| 公開(公告)日 | 2007.01.17 |
| 申請(專利)號 | CN200610052155.5 |
| 申請日期 | 2006.06.27 |
| 專利名稱 | 一種二氟尼柳緩釋劑及其制備方法 |
| 主分類號 | A61K31/603(2006.01)I |
| 分類號 | A61K31/603(2006.01)I;A61K33/30(2006.01)I;A61K33/34(2006.01)I;A61K33/06(2006.01)I;A61P29/00(2006.01)I |
| 分案原申請?zhí)? | |
| 優(yōu)先權 | |
| 申請(專利權)人 | 浙江工業(yè)大學 |
| 發(fā)明(設計)人 | 倪哲明;李 丹;王力耕 |
| 地址 | 310014浙江省杭州市下城區(qū)朝暉六區(qū) |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | |
| 進入國家日期 | |
| 專利代理機構 | 杭州天正專利事務所有限公司 |
| 代理人 | 黃美娟;袁木棋 |
| 國省代碼 | 浙江;33 |
| 主權項 | 一種二氟尼柳緩釋劑，其特征在于所述的緩釋劑是以陰離子層狀材料水滑石為主體，二氟尼柳為插層客體的插層水滑石晶體結構，化學組成為： (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Dif)a(Bn-)b·m H2O 其中M2+是Mg2+、Zn2+、Cu2+、Ni2+、Co2+、Mn2+中的一種，M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+中的一種，Dif代表二氟尼柳陰離子，Bn-是電荷為n的無機陰離子，a＝0.1～1，x＝M3+/(M2++M3+)，0＜x＜1，x∶a＝1～3∶1，b＝0～1且滿足x＝a+nb，m和n為正數(shù)。 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種非甾體抗炎藥的緩釋劑及其制備方法，特別涉及一種二氟尼柳緩釋劑及其制備方法，所述的二氟尼柳緩釋劑是以陰離子層狀材料水滑石為主體，二氟尼柳為插層客體的插層水滑石晶體結構，化學組成如化學式所示，其中M2+是Mg2+、Zn2+、Cu2+、Ni2+、Co2+、Mn2+中的一種，M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+中的一種，Dif代表二氟尼柳陰離子，Bn-是電荷為n的無機陰離子，a＝0.1～1，x＝M3+/(M2++M3+)，0＜x＜1，x∶a＝1～3∶1，b＝0～1且滿足x＝a+nb，m和n為正數(shù)。本發(fā)明所提供的緩釋劑，不僅提高了藥物抗炎、鎮(zhèn)痛作用，還減少藥物的副反應，具有產(chǎn)業(yè)上的應用價值。 (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Dif)a(Bn-)b·m H2O |
| 國際公布 |
