| 公開(公告)號 | CN1821248A |
| 公開(公告)日 | 2006.08.23 |
| 申請(專利)號 | CN200610004335.6 |
| 申請日期 | 2002.09.20 |
| 專利名稱 | 用于生產(chǎn)碳青霉烯化合物的方法 |
| 主分類號 | C07D477/20(2006.01)I |
| 分類號 | C07D477/20(2006.01)I |
| 分案原申請?zhí)? | 02818431.9 |
| 優(yōu)先權(quán) | 2001.9.26 US 60/325130 |
| 申請(專利權(quán))人 | 麥克公司 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人 | R·茨韋托維奇;R·溫斯羅;J·M·威廉斯;D·西德勒;L·克羅克;H·-H·董;B·K·約翰遜;J·庫庫拉二世;U·多林 |
| 地址 | 美國新澤西州 |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | |
| 進(jìn)入國家日期 | |
| 專利代理機構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 |
| 代理人 | 王景朝 |
| 國省代碼 | 美國;US |
| 主權(quán)項 | 式IIa所示的(4R，5S，6S，8R，2′S，4′S)-3-[[2-[[3-羧基苯基]氨基]羰基]吡咯烷-4-基]硫基]-4-甲基-6-(1-羥乙基)-7-氧代-1-氮雜雙環(huán)[3.2.0]庚-2-烯-2-羧酸一鈉鹽碳青霉烯C型結(jié)晶水合物： 其特征在于其固態(tài)X射線粉末衍射XRPD圖譜具有下列d間距18.29，12.94，11.25，8.28，7.50，6.46，6.08，5.11，4.78，4.63，4.45，4.22，4.02，3.67，3.41，3.20，2.86和2.75埃。 |
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種用于將在式I所示碳青霉烯固體或其鹽的熱不穩(wěn)定結(jié)晶中的有機溶劑的濃度降低至藥學(xué)上可接受的程度的方法，其中R1和R2相同或不同，選自H、烷基、芳基和雜芳基，該方法包括用含水的有機溶劑洗滌含有有機溶劑的碳青霉烯固體；然后使用真空和/或干燥)在低溫蒸發(fā)在洗滌過的碳青霉烯固體中的殘留有機溶劑，得到含有藥學(xué)上可接受程度的殘留有機溶劑的碳青霉烯固體結(jié)晶，其中碳青霉烯固體結(jié)晶的水含量，作殘留有機溶劑方面的校正，在該過程中保持在約13％至約25％。 |
| 國際公布 |
