| 公開(公告)號 | CN1220693C |
| 公開(公告)日 | 2005.09.28 |
| 申請(專利)號 | CN00802003.5 |
| 申請日期 | 2000.09.07 |
| 專利名稱 | 3-磺酰氧基-3-頭孢烯化合物的制備方法 |
| 主分類號 | C07D501/04 |
| 分類號 | C07D501/04;C07D501/59;//C07D501/22,C07B61/00,A61K31/546,A61P31/04 |
| 分案原申請?zhí)? | |
| 優(yōu)先權 | 1999.9.20 JP 266158/1999 |
| 申請(專利權)人 | 大塚化學株式會社 |
| 發(fā)明(設計)人 | 龜山豐 |
| 地址 | 日本大阪府 |
| 頒證日 | |
| 國際申請 | PCT/JP2000/006079 2000.9.7 |
| 進入國家日期 | 2001.05.18 |
| 專利代理機構 | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 |
| 代理人 | 楊宏軍 |
| 國省代碼 | 日本;JP |
| 主權項 | 式(3)表示的3-磺酰氧基-3-頭孢烯化合物的制備方法，其特征在于，在有機溶劑中，在堿金屬碳酸鹽或堿土金屬碳酸鹽的存在下，使式(1)表示的3-羥基-3-頭孢烯化合物與式(2)表示的磺酰鹵化合物反應，R4SO2X(2)式(1)中，R1表示氫原子、鹵素原子、被保護的氨基或基團Ar-CH＝N-，Ar表示可以具有取代基的芳基，R2表示氫原子、鹵素原子、低級烷氧基、低級�；⒈槐Ｗo的羥基或有時具有被保護的羥基作為取代基的低級烷基，R3表示氫原子或羧酸保護基；式(2)中，R4表示任選被鹵原子取代的低級烷基、或任選被低級烷基取代的芳基，X表示鹵素原子；式(3)中，R1～R4與上述相同；其中，所述可以具有取代基的芳基的取代基選自鹵素原子、硝基、氰基、芳基、低級烷基、單低級烷氨基、二低級烷氨基、巰基、基團R5S-表示的烷硫基或芳硫基、甲酰氧基、基團R5COO-表示的酰氧基、甲酰基、基團R5CO-表示的�；⒒鶊FR5O-表示的烷氧基或芳氧基、羧基、基團R5OCO-表示的烷氧基羰基或芳氧基羰基的基團，其中R5為低級烷基或芳基；以上所述低級烷基、低級烷氧基、低級�；蔚图壨榘被�、二低級烷氨基具有1～4個碳原子，芳基指苯基或萘基；所述有機溶劑是選自酰胺類溶劑和環(huán)狀醚類溶劑中的至少1種。 |
| 摘要 | 式(3)表示的3-磺酰氧基-3-頭孢烯化合物的制備方法，其特征在于，在有機溶劑中，在堿金屬碳酸鹽或堿土金屬碳酸鹽的存在下，使式(1)表示的3-羥基-3-頭孢烯化合物與式(2)表示的磺酰鹵化合物反應。R4SO2X(2)∴(式中，R1～R4、X與說明書記載的相同。) |
| 國際公布 | WO2001/021622 日 2001.3.29 |
